科學研究：

研究方向：

1.GaAs、InP基新型微電子器件和電路用微結構材料，包括RTD與HEMT結構材料的集成設計和器件研究；

2.InAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InAs/GaSb、InAs/Si等量子點、量子阱和超晶格結構材料及InAs/GaAs新型Hall器件的研制；

3.高應變、大失配異質材料的外延生長及其性能研究，包括ZnO/Si、GaN/Si、ZnO/金屬等特殊異質結材料；

4.ZnO、ZnSe、CdTe等II-VI族和銻化物外延材料與新型光電器件的應用研究；

5.HVPE外延生長GaN厚膜材料的研究；

6.新型高效太陽電池材料、新概念太陽電池的設計與研制。

承擔的科研情況：

“九五”科技攻關：MBE GaAs基微結構材料的實用化研究，1996-2000 。

科研成果：

先后在國內首次研制出室溫連續激射的AlGaAs/GaAs量子阱激光器材料和具有室溫光雙穩性能的自電光效應器件材料，完成了分子束外延GaAs基微結構材料的實用化研究，實現了3mm波段用InP基HEMT材料的研制；研制出具有正入射吸收的長波長量子點紅外探測器；完成了InAs/GaAs新型Hall器件實用化研究。曾獲國家科技進步獎兩項，中科院科技進步一等獎兩項，三等獎一項，“八五”攻關個人成果獎一項。

1 高溫微電子器件用GSMBE氮化物材料 孫殿照;王曉亮;王軍喜;胡國新;劉宏新;朱世榮;張劍平;李曉兵;劉成海;黃運衡;曾一平;李晉閩;孔梅影;林蘭英 中國科學院半導體研究所 2000

2 低閾值和高速超短光脈沖量子阱激光器 陳良惠;徐俊英;肖建偉;張敬明;孔梅影;曾一平;李立康;馬朝偉;徐遵圖;王麗明;畢可奎;楊國文 中國科學院半導體研究所 2000

發明專利：

1 一種有機材料升華提純裝置 曹國華;秦大山;李建平;曹峻松;曾一平 中國科學院半導體研究所 2007-07-18

2 碳化硅襯底氮化鎵高電子遷移率晶體管及制作方法 王曉亮;胡國新;馬志勇;冉學軍;王翠敏;肖紅領;王軍喜;李建平;曾一平;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2007-07-25

3 用于制備有機/無機薄膜的有機分子束沉積設備 曹國華;秦大山;李建平;曹峻松;曾一平 中國科學院半導體研究所 2007-11-21

4 采用有機電子受體層促進空穴有效注入的有機發光二極管 秦大山;曹國華;曹俊松;曾一平;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2008-01-02

5 在微波、臭氧環境下ITO玻璃的處理方法與裝置 曹峻松;秦大山;曹國華;曾一平;李晉閔 中國科學院半導體研究所 2008-01-30

6 用于MEMS器件的大面積3C-SiC薄膜的制備方法 劉興昉;孫國勝;李晉閩;趙永梅;王雷;趙萬順;李家業;曾一平 中國科學院半導體研究所 2008-03-26

7 一種采用極化空穴注入結構的有機發光二極管 秦大山;曹國華;曹俊松;曾一平;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2008-04-23

8 采用微量金屬摻雜有機受體薄膜的有機發光二極管 秦大山;曹國華;曹俊松;曾一平;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2008-04-23

9 砷化鎵襯底上的多層變形緩沖層的制作方法 高宏玲;曾一平;段瑞飛;王寶強;朱戰平;崔利杰 中國科學院半導體研究所 2008-06-04

10 一種獨立供應金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝置 段瑞飛;王軍喜;曾一平;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2008-06-25

11 一種制備氮化物單晶襯底的氫化物氣相外延裝置 段瑞飛;劉喆;鐘興儒;魏同波;馬平;王軍喜;曾一平;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2008-06-25

12 一種平面微腔增強型探測器及其使用方法 鄭厚植;楊富華;趙建華;曾一平;陳京好;譚平恒 中國科學院半導體研究所 2001-10-24

13 一種高溫碳化硅半導體材料制造裝置 李晉閩;孫國勝;朱世榮;曾一平;孫殿照;王雷 中國科學院半導體研究所 2001-12-19

14 無破壞性檢測高電子遷移率晶體管外延材料性能的方法 崔利杰;曾一平;王保強;朱戰平 中國科學院半導體研究所 2004-10-06

15 中濃度P型摻雜透射式砷化鎵光陰極材料及其制備方法 王曉峰;曾一平 中國科學院半導體研究所 2005-06-29

16 制備納米級超薄硅可協變襯底的可控性腐蝕法 王曉峰;曾一平;黃風義;王保強;朱占平 中國科學院半導體研究所 2005-10-12

17 濕法腐蝕兩步法制備超薄柔性硅襯底的腐蝕工藝 王曉峰;曾一平;孫國勝;黃風義;王雷;趙萬順 中國科學院半導體研究所 2005-11-16

18 生長高阻氮化鎵外延膜的方法 王曉亮;胡國新;王軍喜;冉軍學;曾一平;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2005-12-07

19 生長高遷移率氮化鎵外延膜的方法 王曉亮;胡國新;王軍喜;李建平;曾一平;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2005-12-07

20 生長高結晶質量氮化銦單晶外延膜的方法 肖紅領;王曉亮;王軍喜;張南紅;劉宏新;曾一平 中國科學院半導體研究所 2005-12-07

21 氮化鎵高電子遷移率晶體管的結構及制作方法 王曉亮;胡國新;王軍喜;曾一平;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2005-12-07

22 一種在硅襯底上生長高質量氮化鋁的方法 張南紅;王曉亮;曾一平;肖紅領;王軍喜;劉宏新;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2005-12-14

23 一種豎直式高溫大功率碳化硅外延材料制造裝置 孫國勝;王雷;趙萬順;曾一平;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2006-01-11

24 鋁鎵氮/氮化鎵高電子遷移率晶體管的制作方法 王曉亮;胡國新;王軍喜;王翠梅;曾一平;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2006-02-01

25 在硅襯底上低溫生長高結晶質量氧化鋅薄膜的方法 沈文娟;曾一平;王啟元;王俊 中國科學院半導體研究所 2006-03-01

26 藍光、黃光量子阱堆疊結構白光發光二極管及制作方法 郭倫春;王曉亮;王軍喜;肖紅領;曾一平;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2006-03-01

27 制備絕緣體上鍺硅薄膜材料的方法 劉超;高興國;李建平;曾一平 中國科學院半導體研究所 2006-05-31

28 提高氮化鎵基高電子遷移率晶體管性能的結構及制作方法 王翠梅;王曉亮;胡國新;王軍喜;李建平;曾一平;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2006-06-07

29 雙異質結構氮化鎵基高電子遷移率晶體管結構及制作方法 王曉亮;王翠梅;胡國新;王軍喜;李建平;曾一平;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2006-06-14

30 改善氮化鎵基高電子遷移率晶體管柵極肖特基性能的結構 王曉亮;王翠梅;胡國新;王軍喜;李建平;曾一平;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2006-07-05

31 半導體材料殘余應力的測試裝置及方法 陳涌海;趙玲慧;曾一平;李成基 中國科學院半導體研究所 2006-09-20

32 利用緩沖層在硅襯底上生長氧化鋅薄膜的方法 沈文娟;曾一平;王啟元;王俊 中國科學院半導體研究所 2006-10-04

33 利用氧化鋅緩沖層生長單晶氧化鋅薄膜的方法 沈文娟;曾一平;王俊 中國科學院半導體研究所 2006-10-04

34 制造厚膜氮化物材料的氫化物氣相外延裝置 劉喆;王軍喜;鐘興儒;李晉閩;曾一平;段瑞飛;馬平;魏同波;林郭強 中國科學院半導體研究所 2006-12-20

35 一種減小Mg記憶效應的GaN基pn結的生長方法 冉軍學;王曉亮;李建平;胡國新;王軍喜;王翠梅;曾一平 中國科學院半導體研究所 2007-01-10

36 銦砷/鎵砷量子點的分子束外延生長方法 吳巨;王寶強;朱戰平;曾一平 中國科學院半導體研究所 2007-03-14

37 在硅襯底上生長無裂紋氮化鎵薄膜的方法 劉喆;李晉閩;王軍喜;王曉亮;王啟元;劉宏新;王俊;曾一平 中國科學院半導體研究所 2007-05-23

38 一種用于氮化物半導體材料退火的新型加熱襯托 王曉亮;冉軍學;李建平;胡國新;王軍喜;曾一平;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2006-09-20

39 氧化物的化學氣相沉積制備裝置及制備方法 段垚;王曉峰;崔軍朋;曾一平 中國科學院半導體研究所 2009-01-14

40 一種氮化物材料外延裝置 段瑞飛;王軍喜;曾一平;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2009-01-14

41 高純氧化鋅的化學氣相沉積裝置及其制備方法 王曉峰;段垚;崔軍朋;曾一平 中國科學院半導體研究所 2008-09-24

42 基于氮化鋁緩沖層的硅基3C-碳化硅異質外延生長方法 趙永梅;孫國勝;劉興昉;李家業;王雷;趙萬順;李晉閩;曾一平 中國科學院半導體研究所 2008-10-08

43 高晶體質量氮化物外延生長所用圖形襯底的制備方法 張揚;閆發旺;高海永;曾一平;王國宏;張會肖;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2008-10-29

44 一種利用圖形化襯底提高GaN基LED發光效率的方法 閆發旺;高永海;張揚;李晉閩;曾一平;王國宏;張會肖 中國科學院半導體研究所 2009-01-14

45 用于氮化物外延生長的納米級圖形襯底的制作方法 閆發旺;高海永;樊中朝;李晉閩;曾一平;王國宏;張會肖;王軍喜;張揚 中國科學院半導體研究所 2009-02-25

46 一種氮化物薄膜外延生長的方法 閆發旺;高海永;張揚;張會肖;李晉閩;曾一平;王國宏 中國科學院半導體研究所 2009-06-03

47 在藍寶石上生長大尺寸高質量氧化鋅單晶厚膜的方法 何金孝;段尭;曾一平;李晉閩;王曉峰 中國科學院半導體研究所 2009-07-01

48 一種氮化物材料的外延方法 段瑞飛;王軍喜;曾一平;王國宏;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2009-07-01

49 由絕緣襯底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯的方法 劉興昉;孫國勝;李晉閩;趙永梅;王雷;趙萬順;王亮;紀剛;楊挺;曾一平 中國科學院半導體研究所 2009-07-29

50 氧化硅上制備低阻碳化硅的方法 趙永梅;孫國勝;寧瑾;王亮;劉興昉;趙萬順;王雷;李晉閩;曾一平 中國科學院半導體研究所 2009-05-27

51 一種用于微電子機械系統的碳化硅微通道的制作方法 劉興昉;孫國勝;趙永梅;王亮;王雷;趙萬順;曾一平;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2009-07-01

52 在金屬襯底上生長ZnO薄膜的方法 崔軍朋;段垚;王曉峰;曾一平 中國科學院半導體研究所 2009-03-18

53 在Si襯底上生長ZnO薄膜的方法 崔軍朋;段垚;王曉峰;曾一平 中國科學院半導體研究所 2009-03-18

54 有機-無機復合發光二極管及其制作方法 曹俊松;秦大山;曹國華;關敏;曾一平;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2009-04-22

55 圖形襯底上生長碳化硅厚膜的方法 趙永梅;孫國勝;劉興昉;王亮;王雷;趙萬順;李晉閩;曾一平 中國科學院半導體研究所 2009-05-27

56 一種有機電致發光二極管 關敏;秦大山;曹峻松;曹國華;曾一平;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2009-06-03

57 一種基于多晶鎵砷薄膜的有機無機復合太陽能電池 關敏;秦大山;曹峻松;曹國華;曾一平;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2009-07-01

58 用于氮化物外延生長的圖形藍寶石襯底的制作方法 閆發旺;高海永;張揚;李晉閩;曾一平;王國宏;張會肖 中國科學院半導體研究所 2008-12-24

59 碳化硅射頻微電子機械系統濾波器的制作方法 趙永梅;寧瑾;孫國勝;王亮;劉興昉;趙萬順;王雷;李晉閩;曾一平 中國科學院半導體研究所 2009-07-01

60 一種在藍寶石襯底上生長非極性GaN厚膜的方法 魏同波;段瑞飛;霍自強;王軍喜;曾一平;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2009-09-02

61 在藍寶石襯底上二次生長高質量ZnO單晶厚膜的方法 何金孝;段尭;曾一平;王曉峰 中國科學院半導體研究所 2009-09-23

62 一種垂直結構氮化物LED的制備方法 段瑞飛;王軍喜;曾一平;王國宏;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2009-09-30

63 一種高溫碳化硅雙室熱壁式外延生長裝置 孫國勝;王雷;趙萬順;曾一平;葉志仙;劉興昉 中國科學院半導體研究所 2009-12-02

64 有機電致發光器件及其制作方法 關敏;曹國華;李林森;曾一平;李晉閩 中國科學院半導體研究所 2009-12-23

論文專著：

先后發表研究論文100余篇。

發表論文：

1 銻化物超晶格紅外探測器的研究進展 李彥波; 劉超; 張楊; 趙杰; 曾一平; 固體電子學研究與進展 2010-03-25

2 小孔徑蝴蝶型光電導天線太赫茲輻射源的研究 黃振; 于斌; 趙國忠; 張存林; 崔利杰; 曾一平; 激光與紅外 2009-02-15

3 銻化物半導體材料與器件應用研究進展 劉超; 曾一平; 半導體技術 2009-06-03

4 用于高速電路的InP基共振隧穿二極管制作(英文) 馬龍; 黃應龍; 張楊; 王良臣; 楊富華; 曾一平; 半導體學報 2006-06-30

5 InP基HEMT器件中二維電子氣濃度及分布與溝道層厚度關系的理論分析 李東臨; 曾一平; 物理學報 2006-07-12

6 藍寶石襯底上單晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生長 王保柱; 王曉亮; 王曉燕; 王新華; 郭倫春; 肖紅領; 王軍喜; 劉宏新; 曾一平; 李晉閩; 半導體學報 2006-08-30

7 利用水平熱壁CVD法生長的3C-SiC/Si的均勻性(英文) 李家業; 趙永梅; 劉興昉; 孫國勝; 羅木昌; 王雷; 趙萬順; 曾一平; 李晉閩; 半導體學報 2007-01-15

8 HVPE生長GaN厚膜的結構和光學性能(英文) 魏同波; 馬平; 段瑞飛; 王軍喜; 李晉閩; 劉喆; 林郭強; 曾一平; 半導體學報 2007-01-15

9 自旋光電流與電流誘導的電子自旋極化——半導體自旋電子學的新進展 楊春雷; 王建農; 葛惟錕; 崔利杰; 曾一平; 物理 2007-01-12

10 一種基于RTD和HEMT的單片集成邏輯電路(英文) 戴揚; 黃應龍; 劉偉; 馬龍; 楊富華; 王良臣; 曾一平; 鄭厚植; 半導體學報 2007-03-15

11 高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二極管的研制與器件模擬分析 馬龍; 張楊; 戴揚; 楊富華; 曾一平; 王良臣; 半導體學報 2007-04-30

12 藍寶石襯底上HVPE-GaN厚膜生長 馬平; 魏同波; 段瑞飛; 王軍喜; 李晉閩; 曾一平; 半導體學報 2007-06-15

13 InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高遷移率二維電子氣系統中的反弱局域效應研究 周文政; 林鐵; 商麗燕; 黃志明; 崔利杰; 李東臨; 高宏玲; 曾一平; 郭少令; 桂永勝; 褚君浩; 物理學報 2007-07-15

14 不同量子阱寬度的InP基In_(0.53)GaAs/In_(0.52)AlAs高電子遷移率晶體管材料二維電子氣的性能研究 高宏玲; 李東臨; 周文政; 商麗燕; 王寶強; 朱戰平; 曾一平; 物理學報 2007-08-15

15 GaAs光電陰極在不同強度光照下的穩定性 鄒繼軍; 常本康; 楊智; 高頻; 喬建良; 曾一平; 物理學報 2007-10-15

16 HVPE氣相外延法在c面藍寶石上選區外延生長GaN及其表征 林郭強; 曾一平; 段瑞飛; 魏同波; 馬平; 王軍喜; 劉喆; 王曉亮; 李晉閩; 半導體學報 2008-03-15

17 低溫生長砷化鎵光電導天線產生太赫茲波的輻射特性 石小溪; 趙國忠; 張存林; 崔利杰; 曾一平; 中國激光 2008-03-15

18 In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中雙子帶占據的二維電子氣的輸運特性 商麗燕; 林鐵; 周文政; 黃志明; 李東臨; 高宏玲; 崔利杰; 曾一平; 郭少令; 褚君浩; 物理學報 2008-04-15

19 兩個子帶占據的In_(0•53)Ga_(0•47)As/In_(0•52)Al_(0•48)As量子阱中填充因子的變化規律 商麗燕; 林鐵; 周文政; 郭少令; 李東臨; 高宏玲; 崔利杰; 曾一平; 褚君浩; 物理學報 2008-06-15

20 ZnAl_2O_4緩沖層對ZnO外延層晶體質量的影響 何金孝; 段垚; 王曉峰; 崔軍朋; 曾一平; 李晉閩; 半導體學報 2008-07-15

21 In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的正磁電阻效應 商麗燕; 林鐵; 周文政; 李東臨; 高宏玲; 曾一平; 郭少令; 俞國林; 褚君浩; 物理學報 2008-08-15

22 水平靜電驅動式多晶3C-SiC折疊懸臂梁諧振器微結構(英文) 王亮; 趙永梅; 寧瑾; 孫國勝; 王雷; 劉興坊; 趙萬順; 曾一平; 李晉閩; 半導體學報 2008-08-15

23 表面勢壘形狀對NEA光陰極電子能量分布的影響(英文) 鄒繼軍; 楊智; 喬建良; 常本康; 曾一平; 半導體學報 2008-08-15

24 MBE自組裝量子點生長和結構形態研究 吳巨; 金鵬; 呂小晶; 王占國; 曾一平; 王寶強; 姚然; 微納電子技術 2008-08-15

25 Si基SiC微通道及其制備工藝 王亮; 孫國勝; 劉興昉; 趙永梅; 寧瑾; 王雷; 趙萬順; 曾一平; 李晉閩; 微納電子技術 2008-08-15

26 非摻雜LEC砷化鎵晶體中砷沉淀和位錯關聯性質 朱蓉輝; 曾一平; 卜俊鵬; 惠峰; 鄭紅軍; 趙冀; 高永亮; 半導體學報 2008-09-15

27 MBE自組裝量子點生長和結構形態研究(續) 吳巨; 金鵬; 呂小晶; 王占國; 曾一平; 王寶強; 姚然; 微納電子技術 2008-09-15

28 以金屬為緩沖層在Si(111)上分子束外延GaN及其表征 林郭強; 曾一平; 王曉亮; 劉宏新; 半導體學報 2008-10-15

29 以Au為緩沖層在Si襯底上生長ZnO薄膜 崔軍朋; 段垚; 王曉峰; 曾一平; 發光學報 2008-10-15

30 低溫下應變外延層的單層生長(英文) 段瑞飛; 王寶強; 朱占平; 曾一平 半導體學報 2003-04-08

31 無坑洞n-3C-SiC/p-Si(100)的LPCVD外延生長及其異質結構特性(英文) 孫國勝; 孫艷玲; 王雷; 趙萬順; 羅木昌; 張永興; 曾一平; 李晉閩; 林蘭英 半導體學報 2003-06-08

32 RF-MBE生長AlN/GaN超晶格結構二維電子氣材料 胡國新; 王曉亮; 孫殿照; 王軍喜; 劉宏新; 劉成海; 曾一平; 李晉閩; 林蘭英 半導體學報 2003-06-08

33 自組織量子點的優化生長(英文) 段瑞飛; 王寶強; 朱占平; 曾一平 半導體學報 2003-10-08

34 Si(100)襯底上n-3C-SiC/p-Si異質結構研究 孫國勝; 孫艷玲; 王雷; 趙萬順; 羅木昌; 李建平; 曾一平; 林蘭英 發光學報 2003-04-30

35 Si(100)和藍寶石(0001)襯底上3C-SiC的Raman研究(英文) 孫國勝; 羅木昌; 王雷; 趙萬順; 孫艷玲; 曾一平; 李晉閩; 林蘭英 發光學報 2003-08-30

36 Si襯底上無坑洞3C-SiC的外延生長研究 孫國勝; 王雷; 羅木昌; 趙萬順; 朱世榮; 李晉閩; 曾一平; 林蘭英 固體電子學研究與進展 2003-06-30

37 MBE生長的跨導為186mS/mm的AlGaN/GaN HEMT 王曉亮; 胡國新; 王軍喜; 劉宏新; 孫殿照; 曾一平; 李晉閩; 孔梅影; 林蘭英; 劉新宇; 劉鍵; 錢鶴 固體電子學研究與進展 2003-12-30

38 變In組分溝道的MM-HEMT材料電子輸運特性研究 仇志軍; 蔣春萍; 桂永勝; 疏小舟; 郭少令; 褚君浩; 崔利杰; 曾一平; 朱戰平; 王保強 物理學報 2003-11-12

39 RF-MBE生長的高Al勢壘層AlGaN/GaN HEMT結構(英文) 王曉亮; 王翠梅; 胡國新; 王軍喜; 劉新宇; 劉鍵; 冉軍學; 錢鶴; 曾一平; 李晉閩 半導體學報 2005-06-08

40 GSMBE外延生長SGOI材料的退火行為 劉超; 高興國; 李建平; 曾一平; 李晉閩 半導體學報 2005-06-08

41 藍寶石襯底上單晶InN外延膜的RFMBE生長 肖紅領; 王曉亮; 張南紅; 王軍喜; 劉宏新; 韓勤; 曾一平; 李晉閩 半導體學報 2005-06-08

42 SOI襯底對3CSiC異質外延薄膜內殘存應力的影響(英文) 王曉峰; 黃風義; 孫國勝; 王雷; 趙萬順; 曾一平; 李海鷗; 段曉峰 半導體學報 2005-09-08

43 高積分光電靈敏度多層Be濃度摻雜的GaAs負電子親和勢光電陰極(英文) 王曉峰; 曾一平; 王保強; 朱占平; 杜曉晴; 李敏; 常本康 半導體學報 2005-09-08

44 輸出功率密度為2.23W/mm的X波段AlGaN/GaN功率HEMT器件(英文) 王曉亮; 劉新宇; 胡國新; 王軍喜; 馬志勇; 王翠梅; 李建平; 冉軍學; 鄭英奎; 錢鶴; 曾一平; 李晉閩 半導體學報 2005-10-08

45 厚度對Si襯底上生長的ZnO薄膜性能的影響(英文) 沈文娟; 王俊; 段垚; 王啟元; 曾一平 半導體學報 2005-11-08

46 MEMS用Si臺面及SiO_2/Si襯底上3C-SiC的LPCVD生長(英文) 孫國勝; 王雷; 鞏全成; 高欣; 劉興日方; 曾一平; 李晉閩; 人工晶體學報 2005-12-30

47 4H-SiC同質外延生長及Ti/4H-SiC肖特基二極管(英文) 孫國勝; 寧瑾; 高欣; 攻全成; 王雷; 劉興日方; 曾一平; 李晉閩; 人工晶體學報 2005-12-30

48 在復合襯底γ-Al_2O_3/Si(001)上生長GaN 劉喆; 王軍喜; 李晉閩; 劉宏新; 王啟元; 王俊; 張南紅; 肖紅領; 王曉亮; 曾一平; 半導體學報 2005-12-08

49 RF-MBE生長的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管特性(英文) 王曉亮; 胡國新; 王軍喜; 劉新宇; 劉鍵; 劉宏新; 孫殿照; 曾一平; 錢鶴; 李晉閩; 孔梅影; 林蘭英 半導體學報 2004-02-08

50 Si襯底和Si-SiO_2-Si柔性襯底上的GaN生長 王軍喜; 王曉亮; 劉宏新; 胡國新; 李建平; 李晉閩; 曾一平 半導體學報 2004-06-08

51 溶膠-凝膠法制備ZnO納米薄膜的工藝和應用 劉超; 李建平; 孫國勝; 曾一平 發光學報 2004-04-30

52 高溫退火處理的磷化銦中的深能級缺陷 董志遠; 趙有文; 曾一平; 段滿龍; 李晉閩 中國科學E輯:工程科學 材料科學 2004-05-20

53 3C-SiC/Si異質結二極管的高溫特性(英文) 張永興; 孫國勝; 王雷; 趙萬順; 高欣; 曾一平; 李晉閩; 李思淵 半導體學報 2004-09-08

54 可用于Ⅲ族氮化物生長的50mm 3C-SiC/Si(111)襯底的制備(英文) 孫國勝; 張永興; 高欣; 王軍喜; 王雷; 趙萬順; 王曉亮; 曾一平; 李晉閩 半導體學報 2004-10-08

55 4H-SiC低壓熱壁CVD同質外延生長及特性(英文) 孫國勝; 高欣; 張永興; 王雷; 趙萬順; 曾一平; 李晉閩 半導體學報 2004-12-08

56 n型和p型4H-SiC的二級喇曼譜(英文) 高欣; 孫國勝; 李晉閩; 王雷; 趙萬順; 張永新; 曾一平 半導體學報 2004-12-08

57 厚表層Si柔性絕緣襯底上SiC薄膜的外延生長 王曉峰; 王雷; 趙萬順; 孫國勝; 黃風義; 曾一平 半導體學報 2004-12-08

58 一種新材料結構的RTD器件的設計及實現(英文) 王建林; 王良臣; 曾一平; 劉忠立; 楊富華; 白云霞 半導體學報 2005-01-08

59 RTD與PHEMT集成的幾個關鍵工藝 王建林; 劉忠立; 王良臣; 曾一平; 楊富華; 白云霞 半導體學報 2005-02-08

60 MOCVD生長Mg摻雜GaN的退火研究 冉軍學; 王曉亮; 胡國新; 王軍喜; 李建平; 曾一平; 李晉閩 半導體學報 2005-03-08

61 硅基微電子新材料SGOI薄膜研究進展 高興國; 劉超; 李建平; 曾一平; 李晉閩 微電子學 2005-02-20

62 水平冷壁CVD生長4H-SiC同質外延膜的研究 高欣; 孫國勝; 李晉閩; 趙萬順; 王雷; 張永興; 曾一平 半導體學報 2005-05-08

63 MBE生長的InAs薄膜Hall器件 周宏偉; 曾一平; 李歧旺; 王紅梅; 潘量; 孔梅影 半導體學報 1999-10-08

64 質子輻照對GaAs/AlGaAs多量子阱材料光學性質的影響 黃萬霞; 林理彬; 曾一平; 潘量 半導體學報 1999-11-08

65 襯底溫度和生長速率對MBE自組織生長In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影響 于磊; 曾一平; 潘量; 孔梅影; 李晉閩; 李靈霄; 周宏偉 半導體學報 2000-07-08

66 GSMBE生長的高質量氮化鎵材料 孫殿照; 王曉亮; 王軍喜; 劉宏新; 劉成海; 曾一平; 李晉閩; 侯洵; 林蘭英 半導體學報 2000-07-08

67 MBE生長的高質量AlGaAs/InGaAs雙δ摻雜PHEMT結構的材料 曹昕; 曾一平; 孔梅影; 王保強; 潘量; 張昉昉; 朱戰萍 半導體學報 2000-09-08

68 高質量氮化鎵材料的光致發光研究 王軍喜; 孫殿照; 王曉亮; 劉宏新; 劉成海; 曾一平; 李晉閩; 侯洵; 林蘭英 應用光學 2001-04-25

69 Si(100)襯底上高質量3C-SiC的改良外延生長(英文) 孫國勝; 王雷; 羅木昌; 趙萬順; 孫殿照; 曾一平; 李晉閩; 林蘭英 半導體學報 2002-08-08

70 GaAs基分子束外延材料的市場和產業化 孔梅影; 曾一平 固體電子學研究與進展 2002-06-30

71 非原生摻雜半絕緣磷化銦(InP)及其應用對比 董宏偉; 趙有文; 焦景華; 曾一平; 李晉閩; 林蘭英 科學通報 2002-12-15

72 MBE生長高質量GaAs／AlGaAs量子阱激光器 楊國文; 肖建偉; 徐遵圖; 張敬明; 徐俊英; 鄭婉華; 曾一平; 陳良惠 半導體學報 1994-09-08

73 分子束外延GaAs_（1－x）Sb_x／GaAs及界面失配研究 閻春輝; 鄭海群; 范緹文; 孔梅影; 曾一平; 黃運衡; 朱世榮; 孫殿照 半導體學報 1994-10-08

74 具有寬帶響應的GaAs/AlGaAs多量子阱紅外探測器 李晉閩; 鄭海群; 曾一平; 孔梅影 紅外與毫米波學報 1994-10-25

75 晶格匹配型單量子阱GaAs/AI_xGa_(1-x)As半導體電極的光電化學行為 劉堯; 肖緒瑞; 李學萍; 閻春輝; 曾一平; 孫殿照; 鄭海群; 國紅熙 科學通報 1994-08-23

76 進一步提高我國分子束外延技術的探討 孔梅影; 梁基本; 曾一平 高技術通訊 1994-01-28

77 GaAs／AlGaAs多量子阱二維面陣紅外探測器 李晉閩; 鄭海群; 曾一平; 孔梅影 半導體學報 1995-01-08

78 高質量GaAs－AlGaAs材料MBE生長研究及其應用 楊國文; 肖建偉; 徐遵圖; 鄭婉華; 曾一平; 徐俊英; 張敬明; 陳良惠 半導體學報 1995-08-08

79 多量子阱GaAs／Al_xGa_（1－x）As電極的瞬態光電流行為 劉堯; 肖緒瑞; 林原; 曾一平; 孫殿照; 鄭海群 電化學 1995-02-25

80 GaAs／AlxGa_（1－x）As量子阱電極／非水溶液界面性能的研究 劉堯; 肖緒瑞; 曾一平; 孫殿照; 閻春輝; 鄭海群 電化學 1995-05-25

81 氣態源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料 袁瑞霞; 閻春輝; 國紅熙; 李曉兵; 朱世榮; 曾一平; 李靈霄; 孔梅影 半導體學報 1996-01-08

82 匹配In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱材料的GSMBE生長及特性分析 王曉亮; 孫殿照; 孔梅影; 候洵; 曾一平 半導體學報 1997-06-08

83 光柵耦合量子阱紅外探測器一維光柵的光譜響應 潘棟; 曾一平; 李晉閩; 孔梅影 半導體學報 1997-06-08

84 50周期的In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs應變超晶格的生長 潘棟; 曾一平; 吳巨; 王紅梅; 李晉閩; 孔梅影 半導體學報 1997-06-08

85 In_xGa_(1-x)As/InP應變多量子阱P-i-N結構的GSMBE生長及X射線雙晶衍射研究 王曉亮; 孫殿照; 孔梅影; 侯洵; 曾一平 半導體學報 1997-07-08

86 壓應變In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP單量子阱的變溫光致發光研究 王曉亮; 孫殿照; 孔梅影; 侯洵; 曾一平 半導體學報 1997-09-08

87 高質量GaN材料的GSMBE生長 王曉亮; 孫殿照; 孔梅影; 張劍平; 付榮輝; 朱世榮; 曾一平; 李晉閩; 林蘭英 半導體學報 1997-12-08

88 MBE生長溫度對InGaAs/GaAs應變單量子阱激光器性能的影響 曾一平; 孔梅影; 王曉亮; 朱世榮; 李靈霄; 李晉閩 電子顯微學報 1997-08-25

89 分子束外延GaAs/AlGaAs超晶格緩沖層量子阱材料的研究 宋珂; 張福厚; 邢建平; 曾一平 光電子•激光 1997-06-30

90 In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP壓應變量子阱的GSMBE生長及特性研究 王曉亮; 孫殿照; 孔梅影; 侯洵; 曾一平; 李建平; 李靈霄; 朱世榮 紅外與毫米波學報 1997-02-25

91 晶格匹配型GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱電極光電轉換性能的研究 劉堯; 肖緒瑞; 曾一平; 閻春輝; 鄭海群; 孫殿照 中國科學(A輯 數學 物理學 天文學 技術科學) 1997-03-15

92 具有超晶格緩沖層的量子阱激光器的研制 張福厚; 宋珂; 邢建平; 郝修田; 曾一平 中國激光 1997-02-25

93 分子束外延具有GaAs/AlGaAs超晶格緩沖層的量子阱材料 宋珂; 張福厚; 邢建平; 曾一平 科技通報 1997-11-20

94 In_(0.28)Ga_(0.72)As/GaAs量子點超晶格的生長 潘棟; 曾一平; 吳巨; 孔梅影 科學通報 1997-08-08

95 GaN材料的GSMBE生長 王曉亮; 孫殿照; 李曉兵; 黃運衡; 朱世榮; 曾一平; 李晉閩; 孔梅影; 林蘭英 高技術通訊 1997-03-28

96 量子阱激光器超晶格緩沖層的研究 張福厚; 陳江華; 李樹強; 于復生; 曾一平 半導體光電 1998-06-30

97 InAs薄膜Hall器件的材料生長與特性研究 王紅梅; 曾一平; 周宏偉; 董建榮; 潘棟; 潘量; 孔梅影 半導體學報 1998-06-15

98 In_xGa_(1-x)As/InP應變量子阱中激子躍遷能量隨In組分的變化 王曉亮; 孫殿照; 孔梅影; 侯洵; 曾一平 半導體學報 1998-06-15

99 MBE生長InAs薄膜輸運性質的研究 周宏偉; 董建榮; 王紅梅; 曾一平; 朱占萍; 潘量; 孔梅影 半導體學報 1998-09-15

100 GSMBE GaN膜的電子輸運性質研究 王曉亮; 孫殿照; 孔梅影; 張劍平; 曾一平; 李晉閩; 林蘭英 半導體學報 1998-12-15

101 InGaAs/GaAs垂直對準量子點超晶格的正入射紅外吸收 莊乾東; 李晉閩; 曾一平; 潘量; 孔梅影; 林蘭英 紅外與毫米波學報 1998-12-25

102 分子束外延低溫生長GaAs緩沖層及性能研究 梁基本; 孔梅影; 王占國; 朱戰萍; 段維新; 王春艷; 張學淵; 曾一平 半導體學報 1993-12-27

103 InSb/GaAs界面的高分辨電鏡研究 孟祥敏; 曾一平; 胡魁毅; 吳玉琨; 電子顯微學報 1993-05-01

104 GaAs-GaAlAs多量子阱結構發光的激子性質和溫度特性 徐仲英; 梁基本; 許繼宗; 鄭寶真; 李玉璋; 徐俊英; 曾一平; 葛惟錕 半導體學報 1987-04-01

105 優質量子阱的MBE生長和性能研究 孔梅影; 孫殿照; 梁基本; 黃運衡; 曾一平 固體電子學研究與進展 1988-04-01

106 有并聯電導的調制摻雜N-Al_xGa_(1-x)As/GaAs異質結 朱詠堂; 周海平; 董謀群; 江丕桓; 孫殿照; 陳宗圭; 曾一平 固體電子學研究與進展 1988-04-01

107 分子束外延高質量GaAs-AlGaAs量子阱結構 梁基本; 孔梅影; 孫殿照; 曾一平; 黃運衡 半導體學報 1988-03-01

108 GaAs/P型Al_xGa_(1-x)As異質結界面二維空穴的量子輸運特性 周海平; 鄭厚植; 楊富華; 曾一平; 蘇愛民 半導體學報 1989-03-02

109 GaAs/GaAlAs多量子阱激子吸收譜 曾安; 吳榮漢; 曾一平; 孔梅影; 王啟明 半導體學報 1989-11-27

110 AlGaAs/GaAs多量子阱激光器 徐俊英; 李立康; 張敬明; 曾安; 傅方正; 陳良惠; 曾一平; 孫殿照; 孔梅影 中國激光 1990-12-31

111 GaAs MISHFET的研制 楊沁清; 高俊華; 曾一平; 孔梅影; 孫殿照 半導體學報 1990-07-30

112 GaAs/GaAlAs量子限制Stark效應及自電光雙穩現象的實驗研究 吳榮漢; 段海龍; 曾一平; 王啟明; 林世鳴; 孔梅影; 張權生; 江德生; 謝茂海 半導體學報 1990-09-28

113 量子阱材料的電子顯微鏡及光致發光研究 范緹文; 張永航; 曾一平; 陳良惠; 徐統 半導體學報 1990-09-28

114 分子束外延反射式高能電子衍射的強度振蕩采集系統及其應用 張曉秋; 朱戰萍; 孫殿照; 孔梅影; 曾一平; 鄭海群; 閻春輝 真空科學與技術 1990-06-30

115 GaAs/GaAlAs多量子阱自電光效應光學雙穩態 吳榮漢; 段海龍; 王啟明; 曾一平; 孔梅影; 潘鐘; 張權生; 林世鳴 半導體學報 1991-03-02

116 GaAs/AlGaAs多量子阱室溫光電流譜 段海龍; 王啟明; 吳榮漢; 曾一平; 孔梅影 半導體學報 1991-07-30

117 化學束外延生長GaAs/GaAs,InGaAs/GaAs,InP/InP,InGaAs/InP多量子阱材料 孫殿照; 閻春輝; 國紅熙; 朱世榮; 黃運衡; 曾一平; 孔梅影; 半導體情報 1991-06-30

118 InP基共振遂穿二極管隔離層厚度對器件I-V特性影響的研究 韓春林; 張楊; 曾一平; 高建峰; 薛舫時; 陳辰; 2007年全國微波毫米波會議論文集（上冊） 2007-10-01

119 藍寶石(0001)襯底上p-3C-SiC歐姆接觸的研究 孫艷玲; 孫國勝; 劉肅; 王雷; 趙萬順; 羅木昌; 曾一平; 林蘭英; 2002年材料科學與工程新進展（下）——2002年中國材料研討會論文集 2002-10-01

120 化學氣相沉積4H-SiC同質外延膜的生長及其特征研究 高欣; 孫國勝; 趙萬順; 王雷; 李晉閩; 曾一平; 羅木昌; TFC’03全國薄膜技術學術研討會論文摘要集 2003-09-01

121 低溫生長的砷化鎵太赫茲透射與發射光譜的研究 李淼; 趙國忠; 崔利杰; 曾一平; 光電技術與系統文選——中國光學學會光電技術專業委員會成立二十周年暨第十一屆全國光電技術與系統學術會議論文集 2005-08-01

122 MBE生長溫度對InGaAs/GaAs應變單量子阱激光器性能的影響 曾一平; 孔梅影; 王曉亮; 朱世榮; 李靈霄; 李晉閩; 1996年中國青年學者物理學討論會——薄膜材料與物理論文集 1996-06-01

123 InSb/GaAs界面的高分辨電鏡研究 孟祥敏; 曾一平; 胡魁毅; 吳玉琨; 第七次全國電子顯微學會議論文摘要集 1993-04-01

124 三勢壘雙阱隧穿結構中調控發射阱中的電子積累對電子共振隧穿特性的影響 朱匯; 鄭厚植; 李桂榮; 牛智川; 曾一平; 張飛; 孫曉明; 談笑天; 第十六屆全國半導體物理學術會議論文摘要集 2007-09-01

125 三勢壘隧穿結構中的高峰谷比光生空穴共振隧穿 朱匯; 鄭厚植; 李桂榮; 牛智川; 曾一平; 張飛; 孫曉明; 談笑天; 第十六屆全國半導體物理學術會議論文摘要集 2007-09-01

榮譽獎勵：

2007年度中國材料研究學會科學技術進步二等獎。

資料更新中……